PVD真空鍍膜分類
處理方法 | 工作方式 | 優劣勢 | |
電鍍 | 污染嚴重，逐漸被真空鍍膜取代 | ||
PVD | 真空蒸發鍍膜 | 在真空條件下，通過加熱靶材，使靶材表面被蒸發的原子或者分子沉積到基片表面，從而形成薄膜的技術； | 優：適用于光學薄膜 劣：結合力弱，均勻性差，繞鍍性不足，化合物以及合金膜層種類少。 |
真空濺射鍍膜 | 在真空室中充入氬氣，進行輝光放電，電子在電場E的作用下，氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射； 磁場的作用是束縛電子在陰極靶面附近，從而實現了高的沉積速率； | 優:“高速”、“低溫”； 劣：結合力有限，靶材利用率低，一般僅為20%-35%。 | |
真空電弧鍍膜 | 利用真空條件下的弧光放電原理 | 優：離子能量和膜層結合力優于蒸發和磁控濺射 劣：膜層顆粒大，均勻性不好控制 | |
純 離 子 真 空 鍍 膜 | 在真空電弧技術基礎上，利用電磁過濾技術，將多弧放電等離子體過濾提純為純離子束流 | 優：均勻致密結合力好，無顆粒等。 劣：設備一次性投入較大 | |
注明：以上數據來源于安徽純源鍍膜科技有限公司- 先進材料與實驗室檢測數據
展開全文
相關產品
